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國基南方率先實現(xiàn)碳化硅產(chǎn)品批量應用,贏得電力電子器件發(fā)展先機

2022/7/4 17:58:10      國基南方

近年來,國基南方積極融入數(shù)字經(jīng)濟建設,發(fā)揮第三代半導體技術(shù)優(yōu)勢,瞄準重點數(shù)字產(chǎn)業(yè),增強產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)競爭力,氮化鎵技術(shù)產(chǎn)品保障新型裝備、5G通信需求,2022年再次率先在碳化硅領域取得突破性進展,SiC MOSFET首次獲得新能源汽車龍頭企業(yè)大批量訂單,為保障國產(chǎn)新能源汽車用功率器件供應鏈安全發(fā)揮了重要作用。在激烈的市場競爭中,贏得碳化硅領域發(fā)展先機。

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國基南方在國內(nèi)率先建立起第三代半導體碳化硅自主體系,形成了覆蓋碳化硅材料、設計、制造、封測的完整技術(shù)布局,已經(jīng)成為功率電子器件領域知名企業(yè)。碳化硅MOSFET在新能源汽車、新能源發(fā)電、服務器電源、電網(wǎng)輸變電等領域規(guī)模應用,數(shù)千萬只配套量有力保障了產(chǎn)業(yè)自主可控。形成了一流創(chuàng)新平臺,寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室高水平運行,作為依托單位建設的國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)正快速推進實體化運行,2021年SiC MOSFET產(chǎn)品入選國資委十大國有企業(yè)數(shù)字技術(shù)成果。打造了一流人才團隊,多次榮獲國防科技進步獎等重大獎項。國基南方將面向廣闊市場前景繼續(xù)加快碳化硅領域進步。

率先進軍布局

不斷實現(xiàn)碳化硅技術(shù)創(chuàng)新突破

國基南方始終緊盯國際技術(shù)前沿,瞄準碳化硅器件的高擊穿電壓、高功率密度、高效率、高工作溫度等特殊優(yōu)勢和應用前景,以打造碳化硅原創(chuàng)技術(shù)“策源地”為目標,在國內(nèi)率先開展研究工作。堅持對標世界一流技術(shù)水平,緊密對接國家及上級戰(zhàn)略規(guī)劃,近年來得到了國家科技部、工信部以及中國電科等大力支持,“新能源汽車用SiC MOSFET 芯片和模塊關鍵技術(shù)攻關及產(chǎn)業(yè)化項目”入圍2022年江蘇省工業(yè)和信息產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級專項支持,研究成果獲得多項省部級獎項,保持了該領域的技術(shù)領先地位。

率先實現(xiàn)批量應用

在滿足裝備建設及國民經(jīng)濟急需中發(fā)揮積極作用

碳化硅器件是新型國防裝備、新能源汽車、高速列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等急需的關鍵器件。為了實現(xiàn)器件盡快量產(chǎn),2018年國基南方在國內(nèi)率先建立6英寸碳化硅器件工藝平臺,同時發(fā)揮牽引作用,帶動了國內(nèi)碳化硅行業(yè)上下游產(chǎn)業(yè)鏈的進步。

基于自主可控的工藝平臺,近年來,國基南方陸續(xù)發(fā)布650V-1700V SiC SBD產(chǎn)品,在國內(nèi)首次實現(xiàn)工程化應用,在充電樁、服務器電源等領域獲得大批量使用。2020年國內(nèi)率先實現(xiàn)6英寸650V-1700V SiC MOSFET量產(chǎn),同年國內(nèi)首次實現(xiàn)國產(chǎn)1200V SiC MOSFET批量上車應用,6.5kV-20kV高壓SiC MOSFET和 SiC IGBT研制水平國際先進。2022年650V-1200V SiC MOSFET量產(chǎn),新產(chǎn)品優(yōu)異的性能得到了用戶的肯定,滿足60萬輛車載應用需求。碳化硅系列產(chǎn)品在新能源汽車、新能源發(fā)電、服務器電源、電網(wǎng)輸變電等領域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模應用,已發(fā)展成為國基南方新的業(yè)務增長極。

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在服務國民經(jīng)濟的同時,國基南方始終牢記強軍興軍責任,聚焦雷達電源、船舶動力、機載電源、特種車輛控制器、輻射探測等領域,與重點軍工單位深化合作,SiC MOSFET和SBD完成驗證,有力保障重點裝備配套需求。

率先建成一流創(chuàng)新平臺

集聚創(chuàng)新資源發(fā)揮牽引作用

為了更好集聚創(chuàng)新資源,作為依托單位,2015年寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室獲批成立,這是國內(nèi)該領域唯一的國家級重點實驗室。作為建設主體,2021年國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)掛牌成立,為該領域更好推動該領域技術(shù)發(fā)展提供了有力支撐。

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國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)正加快建設。目前,廠房改造、工藝設備等各項工作均按期推進,將進一步提升創(chuàng)新中心的核心競爭力,目標建成一流的研發(fā)中試平臺和科技服務共享平臺,實現(xiàn)綜合性創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)技術(shù)輸出。

率先打造一流人才團隊

建成國內(nèi)行業(yè)人才中心

科技競爭的本質(zhì)是人才競爭。國基南方碳化硅技術(shù)產(chǎn)品快速發(fā)展過程中,打造了一支由中國電科首席專家掛帥,高學歷、年輕化,能打敢拼、富有創(chuàng)新精神的人才團隊。團隊骨干獲得江蘇省“333”高層次人才計劃、集團公司杰出青年等榮譽。

近年來,隨著低碳經(jīng)濟、高效能源發(fā)展,國家出臺新基建、雙碳等宏觀戰(zhàn)略,積極推進綠色經(jīng)濟發(fā)展,新能源發(fā)電、電動汽車,軌道交通,智能電網(wǎng)等新興市場蓬勃發(fā)展,碳化硅器件有很大的市場前景。國基南方將把握市場機遇,堅持創(chuàng)新驅(qū)動、規(guī)模發(fā)展、產(chǎn)融結(jié)合的道路,進一步提升碳化硅器件核心制造能力,構(gòu)建碳化硅領域自主可控產(chǎn)業(yè)生態(tài)。